The Role of Oxygen Vacancies on Switching Characteristics of TiO(x) Resistive Memories. | J Nanosci Nanotechnol;15(6): 4431-4, 2015 Jun. | MEDLINE

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The Role of Oxygen Vacancies on Switching Characteristics of TiO(x) Resistive Memories.

Zheng, Z W; Hsu, H H; Chen, P C; Cheng, C H.

J Nanosci Nanotechnol ; 15(6): 4431-4, 2015 Jun.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26369061

Assuntos

Oxigênio/química; Titânio/química; Eletroquímica; Eletrodos

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Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Oxigênio / Titânio Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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