Metal-insulator transition in films of doped semiconductor nanocrystals.

Chen, Ting; Reich, K V; Kramer, Nicolaas J; Fu, Han; Kortshagen, Uwe R; Shklovskii, B I

Chen, Ting; Reich, K V; Kramer, Nicolaas J; Fu, Han; Kortshagen, Uwe R; Shklovskii, B I.

Afiliação

Chen T; Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.
Reich KV; Fine Theoretical Physics Institute, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.
Kramer NJ; Ioffe Institute, St Petersburg 194021, Russia.
Fu H; Department of Mechanical Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.
Kortshagen UR; Fine Theoretical Physics Institute, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.
Shklovskii BI; Department of Mechanical Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.

Nat Mater ; 15(3): 299-303, 2016 Mar.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26618885

Assuntos

Condutividade Elétrica; Nanopartículas Metálicas/química; Semicondutores; Membranas Artificiais; Nanotecnologia/métodos; Tamanho da Partícula; Fósforo/química; Silício/química

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Condutividade Elétrica / Nanopartículas Metálicas Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nat Mater Assunto da revista: CIENCIA / QUIMICA Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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