InGaN nanowires with high InN molar fraction: growth, structural and optical properties.

Zhang, Xin; Lourenço-Martins, Hugo; Meuret, Sophie; Kociak, Mathieu; Haas, Benedikt; Rouvière, Jean-Luc; Jouneau, Pierre-Henri; Bougerol, Catherine; Auzelle, T; Jalabert, D; Biquard, Xavier; Gayral, Bruno; Daudin, Bruno

Zhang, Xin; Lourenço-Martins, Hugo; Meuret, Sophie; Kociak, Mathieu; Haas, Benedikt; Rouvière, Jean-Luc; Jouneau, Pierre-Henri; Bougerol, Catherine; Auzelle, T; Jalabert, D; Biquard, Xavier; Gayral, Bruno; Daudin, Bruno.

Afiliação

Zhang X; Univ. Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France. CEA, INAC-PHELIQS, 'Nanophysique et semiconducteurs' group, 38000 Grenoble, France. ALEDIA, 17 rue des martyrs, Bât. M23, 38054 Grenoble Cedex 9, France.

Nanotechnology ; 27(19): 195704, 2016 May 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27041669

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