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Polarity-Induced Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires.
de Souza Schiaber, Ziani; Calabrese, Gabriele; Kong, Xiang; Trampert, Achim; Jenichen, Bernd; Dias da Silva, José Humberto; Geelhaar, Lutz; Brandt, Oliver; Fernández-Garrido, Sergio.
Afiliação
  • de Souza Schiaber Z; Laboratório de Filmes Semicondutores, Universidade Estadual Paulista Bauru , 17033-360 São Paulo, Brazil.
  • Calabrese G; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Kong X; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Trampert A; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Jenichen B; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Dias da Silva JH; Laboratório de Filmes Semicondutores, Universidade Estadual Paulista Bauru , 17033-360 São Paulo, Brazil.
  • Geelhaar L; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Brandt O; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Fernández-Garrido S; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik , Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Nano Lett ; 17(1): 63-70, 2017 01 11.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28073259
Palavras-chave
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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Brasil
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