Diameter-tailored telecom-band luminescence in InP/InAs heterostructure nanowires grown on InP (111)B substrate with continuously-modulated diameter from microscale to nanoscale.

Zhang, Guoqiang; Tateno, Kouta; Sogawa, Tetsuomi; Gotoh, Hideki

Zhang, Guoqiang; Tateno, Kouta; Sogawa, Tetsuomi; Gotoh, Hideki.

Afiliação

Zhang G; NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa, 243-0198, Japan. NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa, 243-0198, Japan.

Nanotechnology ; 29(15): 155202, 2018 Apr 02.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29376842

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