Effects of the surface preparation and buffer layer on the morphology, electronic and optical properties of the GaN nanowires on Si. | Nanotechnology;30(39): 395602, 2019 Sep 27. | MEDLINE

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Effects of the surface preparation and buffer layer on the morphology, electronic and optical properties of the GaN nanowires on Si.

Bolshakov, A D; Fedorov, V V; Shugurov, K Yu; Mozharov, A M; Sapunov, G A; Shtrom, I V; Mukhin, M S; Uvarov, A V; Cirlin, G E; Mukhin, I S.

Afiliação

Bolshakov AD; St. Petersburg Academic University, Khlopina 8/3, 194021, St. Petersburg, Russia.

Nanotechnology ; 30(39): 395602, 2019 Sep 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31234150

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de afiliação: Federação Russa

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