Mechanism of Thermal Atomic Layer Etch of W Metal Using Sequential Oxidation and Chlorination: A First-Principles Study.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(32): 36670-36680, 2020 Aug 12.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-32666796
Texto completo:
1
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MEDLINE
Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Assunto da revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Ano de publicação:
2020
Tipo de documento:
Article
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Irlanda