1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer.
Nanoscale Res Lett
; 17(1): 14, 2022 Jan 15.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-35032235
Texto completo:
1
Base de dados:
MEDLINE
Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale Res Lett
Ano de publicação:
2022
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
China