Nitrogen-carbon radiative defect at 0.746 eV in silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 33(2): 1495-1498, 1986 Jan 15.
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em En
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| ID: mdl-9938441
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1986
Tipo de documento:
Article