Detalhe da pesquisa
1.
Hybrid 2D-CMOS microchips for memristive applications.
Nature
; 618(7963): 57-62, 2023 Jun.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36972685
2.
In materia reservoir computing with a fully memristive architecture based on self-organizing nanowire networks.
Nat Mater
; 21(2): 195-202, 2022 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34608285
3.
Three-Terminal Ovonic Threshold Switch (3T-OTS) with Tunable Threshold Voltage for Versatile Artificial Sensory Neurons.
Nano Lett
; 22(2): 733-739, 2022 01 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35025519
4.
A CMOS-memristor hybrid system for implementing stochastic binary spike timing-dependent plasticity.
Philos Trans A Math Phys Eng Sci
; 380(2228): 20210018, 2022 Jul 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35658675
5.
Solving matrix equations in one step with cross-point resistive arrays.
Proc Natl Acad Sci U S A
; 116(10): 4123-4128, 2019 Mar 05.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30782810
6.
Emerging neuromorphic devices.
Nanotechnology
; 31(9): 092001, 2020 Feb 21.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31698347
7.
Impact of oxide and electrode materials on the switching characteristics of oxide ReRAM devices.
Faraday Discuss
; 213(0): 87-98, 2019 02 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30364922
8.
Phase-change memories (PCM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 393-420, 2019 02 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30697618
9.
Synaptic and neuromorphic functions: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 553-578, 2019 02 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30697617
10.
Electrochemical metallization ReRAMs (ECM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 115-150, 2019 02 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30663725
11.
Valence change ReRAMs (VCM) - Experiments and modelling: general discussion.
Faraday Discuss
; 213(0): 259-286, 2019 02 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30664143
12.
Self-aligned nanotube-nanowire phase change memory.
Nano Lett
; 13(2): 464-9, 2013 Feb 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23259592
13.
Memristive tonotopic mapping with volatile resistive switching memory devices.
Nat Commun
; 15(1): 2812, 2024 Apr 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38561389
14.
Hardware implementation of memristor-based artificial neural networks.
Nat Commun
; 15(1): 1974, 2024 Mar 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38438350
15.
Reservoir Computing with Charge-Trap Memory Based on a MoS2 Channel for Neuromorphic Engineering.
Adv Mater
; 35(37): e2205381, 2023 Sep.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36222391
16.
Ionic-electronic halide perovskite memdiodes enabling neuromorphic computing with a second-order complexity.
Sci Adv
; 8(51): eade0072, 2022 Dec 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36563153
17.
An energy-efficient in-memory computing architecture for survival data analysis based on resistive switching memories.
Front Neurosci
; 16: 932270, 2022.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36017177
18.
Resistive-switching crossbar memory based on Ni-NiO core-shell nanowires.
Small
; 7(20): 2899-905, 2011 Oct 17.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21874659
19.
A Brain-Inspired Homeostatic Neuron Based on Phase-Change Memories for Efficient Neuromorphic Computing.
Front Neurosci
; 15: 709053, 2021.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34489628
20.
Standards for the Characterization of Endurance in Resistive Switching Devices.
ACS Nano
; 15(11): 17214-17231, 2021 Nov 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34730935