Detalhe da pesquisa
1.
Hybrid 2D-CMOS microchips for memristive applications.
Nature
; 618(7963): 57-62, 2023 Jun.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36972685
2.
Thermal Compact Modeling and Resistive Switching Analysis in Titanium Oxide-Based Memristors.
ACS Appl Electron Mater
; 6(2): 1424-1433, 2024 Feb 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38435806
3.
Holistic Variability Analysis in Resistive Switching Memories Using a Two-Dimensional Variability Coefficient.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(15): 19102-19110, 2023 Apr 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37027783
4.
Hardware implementation of a true random number generator integrating a hexagonal boron nitride memristor with a commercial microcontroller.
Nanoscale
; 15(5): 2171-2180, 2023 Feb 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36628646
5.
Spatially-Resolved Thermometry of Filamentary Nanoscale Hot Spots in TiO2 Resistive Random Access Memories to Address Device Variability.
ACS Appl Electron Mater
; 5(9): 5025-5031, 2023 Sep 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37779889
6.
Inkjet-printed h-BN memristors for hardware security.
Nanoscale
; 15(23): 9985-9992, 2023 Jun 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37232241
7.
Defect-Free Metal Deposition on 2D Materials via Inkjet Printing Technology.
Adv Mater
; 34(48): e2104138, 2022 Dec.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34734445
8.
Variability and Yield in h-BN-Based Memristive Circuits: The Role of Each Type of Defect.
Adv Mater
; 33(41): e2103656, 2021 Oct.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34480775
9.
Advanced Data Encryption âusing 2D Materials.
Adv Mater
; 33(27): e2100185, 2021 Jul.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34046938
10.
Standards for the Characterization of Endurance in Resistive Switching Devices.
ACS Nano
; 15(11): 17214-17231, 2021 Nov 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34730935
11.
On the Limits of Scanning Thermal Microscopy of Ultrathin Films.
Materials (Basel)
; 13(3)2020 Jan 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31978971
12.
Electroforming in Metal-Oxide Memristive Synapses.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(10): 11806-11814, 2020 Mar 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32036650
13.
Graphene-Boron Nitride-Graphene Cross-Point Memristors with Three Stable Resistive States.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(41): 37999-38005, 2019 Oct 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31529969