Growth of straight one-dimensional Ge/ZnSe heterojunctions with atomically sharp interfaces by catalytic residue controls. | Nanotechnology;25(1): 014010, 2014 Jan 10. | MEDLINE

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Growth of straight one-dimensional Ge/ZnSe heterojunctions with atomically sharp interfaces by catalytic residue controls.

Kang, Kibum; Heo, Hoseok; Lee, Donghun; Hwang, Inchan; Jo, Moon-Ho.

Afiliação

Kang K; Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang 790-784, Korea.

Nanotechnology ; 25(1): 014010, 2014 Jan 10.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24334567

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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