Determination of the nitrogen vacancy as a shallow compensating center in GaN doped with divalent metals.
Phys Rev Lett
; 114(1): 016405, 2015 Jan 09.
Article
em En
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| ID: mdl-25615487
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Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev Lett
Ano de publicação:
2015
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Reino Unido