Ultrahigh-Gain and Fast Photodetectors Built on Atomically Thin Bilayer Tungsten Disulfide Grown by Chemical Vapor Deposition. | ACS Appl Mater Interfaces;9(48): 42001-42010, 2017 Dec 06. | MEDLINE

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Ultrahigh-Gain and Fast Photodetectors Built on Atomically Thin Bilayer Tungsten Disulfide Grown by Chemical Vapor Deposition.

Yang, Ruilong; Feng, Shanghuai; Xiang, Jianyong; Jia, Zhiyan; Mu, Congpu; Wen, Fusheng; Liu, Zhongyuan.

Afiliação

Xiang J; Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Structures and Quantum Control of Ministry of Education, Hunan Normal University , Changsha 410081, People's Republic of China.

ACS Appl Mater Interfaces ; 9(48): 42001-42010, 2017 Dec 06.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29119781

Palavras-chave

bilayer WS2; chemical vapor deposition; detectivity; phototransistor; response speed; responsivity

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Assunto da revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article

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