1.
Phys Rev Lett
; 86(16): 3586-9, 2001 Apr 16.
Artigo
em Inglês
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| ID: mdl-11328029
RESUMO
We present the atomic structure of the c(8 x 2) reconstructions of InSb-, InAs-, and GaAs-(001) surfaces as determined by surface x-ray diffraction using direct methods. Contrary to common belief, group III dimers are not prominent on the surface, instead subsurface dimerization of group III atoms takes place in the second bilayer, accompanied by a major rearrangement of the surface atoms above the dimers to form linear arrays. By varying the occupancies of four surface sites the (001)-c(8 x 2) reconstructions of III-V semiconductors can be described in a unified model.
2.
3.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(4): 2579-2586, 1995 Jul 15.
Artigo
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| ID: mdl-9981325
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Phys Rev B Condens Matter
; 50(8): 5767-5770, 1994 Aug 15.
Artigo
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| ID: mdl-9976935
5.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(23): 16523-16533, 1994 Jun 15.
Artigo
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| ID: mdl-10010805
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8.
9.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(11): 6321-6324, 1992 Mar 15.
Artigo
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| ID: mdl-10000390
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Phys Rev B Condens Matter
; 44(4): 1950-1953, 1991 Jul 15.
Artigo
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| ID: mdl-9999741
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Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9995194
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Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9993868
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Phys Rev B Condens Matter
; 39(18): 13525-13528, 1989 Jun 15.
Artigo
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| ID: mdl-9948261