Medium-energy-ion-scattering investigations of Si and Ge growth on GaAs(001)-c(2 x 8)/(2 x 4).
Phys Rev B Condens Matter
; 47(15): 9610-9614, 1993 Apr 15.
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em En
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| ID: mdl-10005028
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Idioma:
En
Ano de publicação:
1993
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Article