Electrical spin injection from an n-type ferromagnetic semiconductor into a III-V device heterostructure. | Nat Mater;3(11): 799-803, 2004 Nov. | MEDLINE

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Electrical spin injection from an n-type ferromagnetic semiconductor into a III-V device heterostructure.

Kioseoglou, George; Hanbicki, Aubrey T; Sullivan, James M; van 't Erve, Olaf M J; Li, Connie H; Erwin, Steven C; Mallory, Robert; Yasar, Mesut; Petrou, Athos; Jonker, Berend T.

Afiliação

Kioseoglou G; Materials Science and Technology Division, Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375, USA.

Nat Mater ; 3(11): 799-803, 2004 Nov.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-15502834

Assuntos

Compostos Férricos; Magnetismo; Semicondutores

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Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Compostos Férricos / Magnetismo Idioma: En Ano de publicação: 2004 Tipo de documento: Article

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