Strain-driven electronic band structure modulation of si nanowires.

Hong, Ki-Ha; Kim, Jongseob; Lee, Sung-Hoon; Shin, Jai Kwang

Hong, Ki-Ha; Kim, Jongseob; Lee, Sung-Hoon; Shin, Jai Kwang.

Afiliação

Hong KH; Samsung Advanced Institute of Technology, Mt. 14-1, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-Si, Gyeonggi-Do, 446-712, Korea. kiha.hong@samsung.com

Nano Lett ; 8(5): 1335-40, 2008 May.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-18402477

Assuntos

Modelos Químicos; Nanotecnologia/métodos; Nanotubos/química; Nanotubos/ultraestrutura; Silício/química; Simulação por Computador; Elasticidade; Condutividade Elétrica; Eletrônica; Substâncias Macromoleculares/química; Teste de Materiais; Modelos Moleculares; Conformação Molecular; Tamanho da Partícula; Estresse Mecânico

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Nanotecnologia / Nanotubos / Modelos Químicos Idioma: En Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article

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