Compositional analysis of mixed-cation-anion III-V semiconductor interfaces using phase retrieval high-resolution transmission electron microscopy. | J Microsc;230(Pt 3): 372-81, 2008 Jun. | MEDLINE

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Compositional analysis of mixed-cation-anion III-V semiconductor interfaces using phase retrieval high-resolution transmission electron microscopy.

Mahalingam, K; Eyink, K G; Brown, G J; Dorsey, D L; Kisielowski, C F; Thust, A.

Afiliação

Mahalingam K; Air Force Research Laboratory, Materials & Manufacturing Directorate, Wright-Patterson AFB, OH 45433-7707, USA. krishnamurthy.mahalingam@wpafb.af.mil

J Microsc ; 230(Pt 3): 372-81, 2008 Jun.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-18503662

Assuntos

Gálio/química; Índio/química; Microscopia Eletrônica de Transmissão/métodos; Semicondutores; Ânions; Cátions; Aumento da Imagem; Estrutura Molecular

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Microscopia Eletrônica de Transmissão / Gálio / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article

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