Growth of vertically aligned InGaN nanorod arrays on p-type Si substrates for heterojunction diodes.

Wu, Kemin; Han, Tao; Shen, Kai; Li, Bo; Peng, Ting; Pan, Yang; Sun, Handong; Liu, Chang.

Afiliação

Wu K; Key Laboratory of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education and Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, China.

J Nanosci Nanotechnol ; 10(12): 8139-44, 2010 Dec.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21121307

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Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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