Sketched oxide single-electron transistor.

Cheng, Guanglei; Siles, Pablo F; Bi, Feng; Cen, Cheng; Bogorin, Daniela F; Bark, Chung Wung; Folkman, Chad M; Park, Jae-Wan; Eom, Chang-Beom; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Levy, Jeremy

Cheng, Guanglei; Siles, Pablo F; Bi, Feng; Cen, Cheng; Bogorin, Daniela F; Bark, Chung Wung; Folkman, Chad M; Park, Jae-Wan; Eom, Chang-Beom; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Levy, Jeremy.

Afiliação

Cheng G; Department of Physics and Astronomy, University of Pittsburgh, Pittsburgh, Pennsylvania 15260, USA.

Nat Nanotechnol ; 6(6): 343-7, 2011 Apr 17.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21499252

Assuntos

Eletroquímica/instrumentação; Elétrons; Nanotecnologia/instrumentação; Óxidos/química; Estrôncio/química; Titânio/química; Transistores Eletrônicos; Capacitância Elétrica; Condutividade Elétrica; Eletrodos; Eletrônica/instrumentação; Desenho de Equipamento; Pontos Quânticos; Temperatura

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Óxidos / Estrôncio / Titânio / Transistores Eletrônicos / Nanotecnologia / Eletroquímica / Elétrons Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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