Formation of Ge nanoripples on vicinal Si (1110): from Stranski-Krastanow seeds to a perfectly faceted wetting layer.

Chen, G; Sanduijav, B; Matei, D; Springholz, G; Scopece, D; Beck, M J; Montalenti, F; Miglio, L.

Afiliação

Chen G; Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, Johannes Kepler University, A-4040 Linz, Austria.

Phys Rev Lett ; 108(5): 055503, 2012 Feb 03.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22400940

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Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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