Few electron limit of n-type metal oxide  semiconductor single electron transistors.

Prati, Enrico; De Michielis, Marco; Belli, Matteo; Cocco, Simone; Fanciulli, Marco; Kotekar-Patil, Dharmraj; Ruoff, Matthias; Kern, Dieter P; Wharam, David A; Verduijn, Jan; Tettamanzi, Giuseppe C; Rogge, Sven; Roche, Benoit; Wacquez, Romain; Jehl, Xavier; Vinet, Maud; Sanquer, Marc

Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors.

Prati, Enrico; De Michielis, Marco; Belli, Matteo; Cocco, Simone; Fanciulli, Marco; Kotekar-Patil, Dharmraj; Ruoff, Matthias; Kern, Dieter P; Wharam, David A; Verduijn, Jan; Tettamanzi, Giuseppe C; Rogge, Sven; Roche, Benoit; Wacquez, Romain; Jehl, Xavier; Vinet, Maud; Sanquer, Marc.

Afiliação

Prati E; Laboratorio MDM, CNR-IMM, Via Olivetti 2, I-20864 Agrate Brianza, Italy. enrico.prati@cnr.it

Nanotechnology ; 23(21): 215204, 2012 Jun 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22552118

Assuntos

Metais/química; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/instrumentação; Semicondutores; Silício/química; Transistores Eletrônicos; Transporte de Elétrons; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Nanoestruturas/ultraestrutura; Tamanho da Partícula

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Silício / Transistores Eletrônicos / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Metais Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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