InGaAsP-based uni-travelling carrier photodiode structure grown by solid source molecular beam epitaxy.

Natrella, Michele; Rouvalis, Efthymios; Liu, Chin-Pang; Liu, Huiyun; Renaud, Cyril C; Seeds, Alwyn J

Natrella, Michele; Rouvalis, Efthymios; Liu, Chin-Pang; Liu, Huiyun; Renaud, Cyril C; Seeds, Alwyn J.

Afiliação

Natrella M; Department of Electronic & Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London, UK.

Opt Express ; 20(17): 19279-88, 2012 Aug 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23038569

Assuntos

Arsenicais/química; Gálio/química; Índio/química; Fosfinas/química; Fotometria/instrumentação; Semicondutores; Arsenicais/efeitos da radiação; Cristalização/métodos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Gálio/efeitos da radiação; Íons Pesados; Índio/efeitos da radiação; Teste de Materiais; Fosfinas/efeitos da radiação

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Fosfinas / Fotometria / Arsenicais / Semicondutores / Gálio / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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