Temperature dependence of electric transport in few-layer graphene under large charge doping induced by electrochemical gating.

Gonnelli, R S; Paolucci, F; Piatti, E; Sharda, Kanudha; Sola, A; Tortello, M; Nair, Jijeesh R; Gerbaldi, C; Bruna, M; Borini, S.

Afiliação

Gonnelli RS; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Paolucci F; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Piatti E; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Sharda K; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Sola A; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Tortello M; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Nair JR; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Gerbaldi C; Dipartimento di Scienza Applicata e Tecnologia, Politecnico di Torino, 10129 Torino, Italy.
Bruna M; Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica (INRIM), Torino, 10135 Torino.
Borini S; Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica (INRIM), Torino, 10135 Torino.

Sci Rep ; 5: 9554, 2015 Apr 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25906088

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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