Topological Crystalline Insulator in a New Bi Semiconducting Phase.

Munoz, F; Vergniory, M G; Rauch, T; Henk, J; Chulkov, E V; Mertig, I; Botti, S; Marques, M A L; Romero, A H.

Afiliação

Munoz F; Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Chile &Centro para el Desarrollo de la Nanociencia y la Nanotecnologia, CEDENNA, Santiago, Chile.
Vergniory MG; Donostia International Physics Center, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain.
Rauch T; Institut für Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, D-06099 Halle, Germany.
Henk J; Institut für Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, D-06099 Halle, Germany.
Chulkov EV; Donostia International Physics Center, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain.
Mertig I; Tomsk State University, Tomsk, Russia.
Botti S; Departamento de Fisica de materiales, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU and Centro de Fisica de Materiales, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, San Sebastian, Spain.
Marques MA; St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia.
Romero AH; Institut für Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, D-06099 Halle, Germany.

Sci Rep ; 6: 21790, 2016 Feb 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26905601

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article