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Performance of GaN-on-Si-based vertical light-emitting diodes using silicon nitride electrodes with conducting filaments: correlation between filament density and device reliability.
Opt Express ; 24(16): 17711-9, 2016 Aug 08.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27505739

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

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