Dopant activation mechanism of Bi wire-Î´-doping into Si crystal, investigated with wavelength dispersive fluorescence x-ray absorption fine structure and density functional theory. | J Phys Condens Matter;29(15): 155001, 2017 Apr 20. | MEDLINE

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Dopant activation mechanism of Bi wire-Î´-doping into Si crystal, investigated with wavelength dispersive fluorescence x-ray absorption fine structure and density functional theory.

Murata, Koichi; Kirkham, Christopher; Shimomura, Masaru; Nitta, Kiyofumi; Uruga, Tomoya; Terada, Yasuko; Nittoh, Koh-Ichi; Bowler, David R; Miki, Kazushi.

Afiliação

Murata K; National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044, Japan. Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, 305-8573, Japan.

J Phys Condens Matter ; 29(15): 155001, 2017 Apr 20.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28218893

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article

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