Influence of the crosstalk on the intensity of HAADF-STEM images of quaternary semiconductor materials.

Baladés, N; Herrera, M; Sales, D L; Guerrero, M P; Guerrero, E; Galindo, P L; Molina, S I.

Afiliação

Baladés N; Dpto. Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT), CEI·MAR, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain.
Herrera M; Dpto. Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT), CEI·MAR, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain.
Sales DL; Dpto. Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT), CEI·MAR, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain.
Guerrero MP; Dpto. de Ingeniería Informática., Universidad de Cádiz, Av. de la Universidad de Cádiz, 10, Cádiz, Spain.
Guerrero E; Dpto. de Ingeniería Informática., Universidad de Cádiz, Av. de la Universidad de Cádiz, 10, Cádiz, Spain.
Galindo PL; Dpto. de Ingeniería Informática., Universidad de Cádiz, Av. de la Universidad de Cádiz, 10, Cádiz, Spain.
Molina SI; Dpto. Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT), CEI·MAR, Universidad de Cádiz, Puerto Real, Cádiz, Spain.

J Microsc ; 273(1): 81-88, 2019 Jan.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30417387