Optimizing Al-doped ZrO<sub>2</sub> as the gate dielectric for MoS<sub>2</sub> field-effect transistors.

Optimizing Al-doped ZrO₂ as the gate dielectric for MoS₂ field-effect transistors.

Song, Xingjuan; Xu, Jingping; Liu, Lu; Deng, Yuheng; Lai, Pui-To; Tang, Wing-Man.

Afiliação

Song X; School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 31(13): 135206, 2020 Mar 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31766028

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

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