Resonance Raman enhancement by the intralayer and interlayer electron-phonon processes in twisted bilayer graphene.

Moutinho, M V O; Eliel, G S N; Righi, A; Gontijo, R N; Paillet, M; Michel, T; Chiu, Po-Wen; Venezuela, P; Pimenta, M A.

Afiliação

Moutinho MVO; Núcleo Multidisciplinar de Pesquisas em Computação-NUMPEX-COMP, Campus Duque de Caxias, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Duque de Caxias, RJ, Brazil.
Eliel GSN; Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia, Salvador, BA, Brazil.
Righi A; Instituto de Física, Universidade Federal Fluminense, Niterói, Rio de Janeiro, Brazil.
Gontijo RN; Departamento de Física, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG, Brazil.
Paillet M; Departamento de Física, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG, Brazil.
Michel T; Laboratoire Charles Coulomb, CNRS, University of Montpellier, 34095, Montpellier, France.
Chiu PW; Laboratoire Charles Coulomb, CNRS, University of Montpellier, 34095, Montpellier, France.
Venezuela P; National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan.
Pimenta MA; Instituto de Física, Universidade Federal Fluminense, Niterói, Rio de Janeiro, Brazil.

Sci Rep ; 11(1): 17206, 2021 Aug 26.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-34446790

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article

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