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Correction: Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping.
Arroyo-Gascón, Olga; Baba, Yuriko; Cerdá, Jorge I; de Abril, Oscar; Martínez-Casado, Ruth; Domínguez-Adame, Francisco; Chico, Leonor.
Afiliação
  • Arroyo-Gascón O; Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Consejo Superior de Investigaciones Científicas, C/Sor Juana Inés de la Cruz 3, E-28049 Madrid, Spain. leochico@ucm.es.
  • Baba Y; GISC, Departamento de Física de Materiales, Universidad Complutense, E-28040 Madrid, Spain.
  • Cerdá JI; GISC, Departamento de Física de Materiales, Universidad Complutense, E-28040 Madrid, Spain.
  • de Abril O; Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Consejo Superior de Investigaciones Científicas, C/Sor Juana Inés de la Cruz 3, E-28049 Madrid, Spain. leochico@ucm.es.
  • Martínez-Casado R; Departamento de Estructuras y Física de Edificación, Universidad Politécnica de Madrid, E-28040 Madrid, Spain.
  • Domínguez-Adame F; GISC, Departamento de Física de Materiales, Universidad Complutense, E-28040 Madrid, Spain.
  • Chico L; GISC, Departamento de Física de Materiales, Universidad Complutense, E-28040 Madrid, Spain.
Nanoscale ; 15(7): 3566, 2023 Feb 16.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-36722788
Correction for 'Persistence of symmetry-protected Dirac points at the surface of the topological crystalline insulator SnTe upon impurity doping' by Olga Arroyo-Gascón et al., Nanoscale, 2022, 14, 7151-7162, https://doi.org/10.1039/D1NR07120C.
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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article
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