1.
Phys Rev Lett
; 84(4): 690-3, 2000 Jan 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-11017348
RESUMO
An H plasma has a remarkable effect on dislocation mobility in silicon, reducing its activation energy to 1.2 eV. Applying density functional theory to the interactions of H and H2 with the core of the 90 degrees partial dislocation in Si, we have identified a path for motion involving kink formation and migration at hydrogenated core bonds which conforms exactly to the experimentally measured activation energy.
2.
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5.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(11): 6984-6994, 1995 Mar 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9977254
6.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(15): 10332-10336, 1994 Apr 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-10009854
7.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(12): 7819-7822, 1996 Mar 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-9982230
8.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(16): 9114-9117, 1991 Oct 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-9998887
9.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(23): 16341-16344, 1995 Dec 15.
Artigo
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| ID: mdl-9981025
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Phys Rev B Condens Matter
; 48(1): 661-664, 1993 Jul 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-10006835
11.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(23): 16781-16785, 1996 Dec 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-9985807
12.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(4): R2300-R2303, 1996 Jul 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-9986162
13.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(9): 5937-5940, 1994 Sep 01.
Artigo
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| ID: mdl-9976962
14.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(24): 16289-16296, 1996 Jun 15.
Artigo
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| MEDLINE
| ID: mdl-9983465