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1.
Kash, Tsang, and Ulbrich reply.
Kash JA; Tsang JC; Ulbrich RG.
Phys Rev Lett ; 65(2): 275, 1990 Jul 09.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10042602
2.
Sub-picosecond time-resolved Raman spectroscopy of LO phonons in GaAs.
Kash JA; Tsang JC; Hvam JM.
Phys Rev Lett ; 54(19): 2151-2154, 1985 May 13.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10031242
3.
Hot-electron recombination at neutral acceptors in GaAs: A cw probe of femtosecond intervalley scattering.
Ulbrich RG; Kash JA; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 62(8): 949-952, 1989 Feb 20.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10040379
4.
Kash, Jha, and Tsang reply.
Kash JA; Jha SS; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 60(9): 864, 1988 Feb 29.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10038676
5.
Picosecond Raman studies of the Fröhlich interaction in semiconductor alloys.
Kash JA; Jha SS; Tsang JC.
Phys Rev Lett ; 58(18): 1869-1872, 1987 May 04.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10034559
6.
Spectroscopic ellipsometry of E1-like transitions in nanometer-thickness Ge layers.
Freeouf JL; Tsang JC; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev Lett ; 64(3): 315-318, 1990 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041949
7.
Picosecond spectroscopy of hot anti-Stokes luminescence in GaAs.
Tsang JC; Kash JA.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(8): 6003-6006, 1986 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9940464
8.
Raman scattering in the presence of photoexcited nonequilibrium carriers in semiconductors: Theoretical considerations.
Jha SS; Kash JA; Tsang JC.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(8): 5498-5511, 1986 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9940382
9.
Localized and nonlocalized states in thin Ge layers grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures.
Tsang JC; Freeouf JL; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(12): 7755-7764, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002515
10.
Nonlocal resonant optical phonons and the local properties of ultrathin Ge layers on Si(100).
Tsang JC; Iyer SS; Pukite P; Copel M.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(18): 13545-13548, 1989 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948266
11.
Localized electronic states and resonant Raman scattering from localized and quasiresonant phonons in Si-Ge layers.
Tsang JC; Iyer SS; Calise JA; Ek BA.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(8): 5886-5889, 1989 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9992648
12.
Localization and wave-vector conservation for optical phonons in AlxGa1-xAs and thin layers of GaAs.
Kash JA; Hvam JM; Tsang JC; Kuech TF.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(8): 5776-5779, 1988 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9947035
13.
Surfactant-mediated growth of Ge on Si(111).
Horn-von Hoegen M; Copel M; Tsang JC; Reuter MC; Tromp RM.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(15): 10811-10822, 1994 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9975182
14.
Raman spectroscopy of long-range order in epitaxial Si0.5Ge0.5 alloys.
Tsang JC; Kesan VP; Freeouf JL; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6907-6914, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002394
15.
Electrical and physical properties of high-Ge-content Si/SiGe p-type quantum wells.
Kiehl RA; Batson PE; Chu JO; Edelstein DC; Fang FF; Laikhtman B; Lombardi DR; Masselink WT; Meyerson BS; Nocera JJ; Parsons AH; Stanis CL; Tsang JC.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(16): 11946-11959, 1993 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10007538
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