Detalhe da pesquisa
1.
Topography of the Si(111) surface during silicon molecular-beam epitaxy.
Phys Rev Lett
; 63(12): 1277-1280, 1989 Sep 18.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10040521
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2.
Schottky-barrier inhomogeneity at epitaxial NiSi2 interfaces on Si(100).
Phys Rev Lett
; 66(1): 72-75, 1991 Jan 07.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10043145
3.
Ordering at Si(111)/a-Si and Si(111)/SiO2 interfaces.
Phys Rev Lett
; 57(21): 2714-2717, 1986 Nov 24.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10033842
4.
Origin of A- or B-type NiSii2 determined by in in situ transmission electron microscopy and diffraction during growth.
Phys Rev Lett
; 60(12): 1158-1161, 1988 Mar 21.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10037956
5.
Comment on "Evidence of eightfold coordination for Co atoms at the CoSi2/Si(111) interface"
Phys Rev Lett
; 64(8): 980, 1990 Feb 19.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10042131
6.
Specular boundary scattering and electrical transport in single-crystal thin films of CoSi2.
Phys Rev Lett
; 54(16): 1840-1843, 1985 Apr 22.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10031154
7.
Preservation of a 7 x 7 periodicity at a buried amorphous Si/Si(111) interface.
Phys Rev Lett
; 56(4): 355-358, 1986 Jan 27.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10033166
8.
Origin of the excess capacitance at intimate Schottky contacts.
Phys Rev Lett
; 60(1): 53-56, 1988 Jan 04.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10037865
9.
Electron transport at metal-semiconductor interfaces: General theory.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(23): 13509-13523, 1992 Jun 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-10001439
10.
Surface structure of thin epitaxial CoSi2 grown on Si(111).
Phys Rev B Condens Matter
; 37(18): 10786-10794, 1988 Jun 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-9944532
11.
Co on Si(111): Silicide formation.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(24): 13626-13630, 1991 Dec 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-9999565
12.
X-ray interference method for studying interface structures.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(5): 3632-3635, 1988 Aug 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-9946729
13.
Schottky-barrier heights of single-crystal NiSi2 on Si(111): The effect of a surface p-n junction.
Phys Rev B Condens Matter
; 33(10): 7077-7090, 1986 May 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-9938036
14.
States at epitaxial NiSi2/Si heterojunctions studied by deep-level transient spectroscopy and hydrogenation.
Phys Rev B Condens Matter
; 34(6): 4415-4418, 1986 Sep 15.
Artigo
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| MEDLINE | ID: mdl-9940228