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Phys Rev Lett
; 85(23): 4900-3, 2000 Dec 04.
Artigo
em Inglês
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| ID: mdl-11102146
RESUMO
Concentrations of mobile interstitial copper and precipitated copper in silicon were studied after a high temperature intentional contamination and quench to room temperature. It was found that below a critical contamination the copper predominantly diffuses out to the surface, while for higher initial copper concentrations it mainly precipitates in the bulk. The critical copper contamination equals the acceptor concentration plus 10(16) cm (-3). This behavior can be explained by the electrostatic interaction between the positively charged interstitial copper and the forming copper precipitates.
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Pressure dependence of III-V Schottky barriers: A critical test of theories for Fermi level pinning.
Phys Rev Lett
; 73(4): 581-584, 1994 Jul 25.
Artigo
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| ID: mdl-10057483
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Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9999693
10.
Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9992357
11.
Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9939114
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Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-10002040
13.
Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-10003777
14.
Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9999504
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Phys Rev B Condens Matter
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Artigo
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| ID: mdl-9978841
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Phys Rev B Condens Matter
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| ID: mdl-9943456
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| ID: mdl-10003164
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Phys Rev B Condens Matter
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| ID: mdl-9997535
19.
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| ID: mdl-9979906
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Phys Rev B Condens Matter
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| ID: mdl-9936762