High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 microm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy.

Tan, K H; Yoon, S F; Loke, W K; Wicaksono, S; Ng, T K; Lew, K L; Stöhr, A; Fedderwitz, S; Weiss, M; Jäger, D; Saadsaoud, N; Dogheche, E; Decoster, D; Chazelas, J

Tan, K H; Yoon, S F; Loke, W K; Wicaksono, S; Ng, T K; Lew, K L; Stöhr, A; Fedderwitz, S; Weiss, M; Jäger, D; Saadsaoud, N; Dogheche, E; Decoster, D; Chazelas, J.

Afiliación

Tan KH; School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Republic of Singapore. etankh@ntu.edu.sg

Opt Express ; 16(11): 7720-5, 2008 May 26.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-18545482

Asunto(s)

Arsenicales/química; Cristalización/métodos; Galio/química; Nitrógeno/química; Fotometría/instrumentación; Semiconductores; Transductores; Calor; Nitrógeno/efectos de la radiación; Fotometría/métodos; Ondas de Radio

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Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Fotometría / Arsenicales / Semiconductores / Transductores / Cristalización / Galio / Nitrógeno Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2008 Tipo del documento: Article

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