Ferromagnetism in dilute magnetic semiconductors through defect engineering: Li-doped ZnO. | Phys Rev Lett;104(13): 137201, 2010 Apr 02. | MEDLINE

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Ferromagnetism in dilute magnetic semiconductors through defect engineering: Li-doped ZnO.

Yi, J B; Lim, C C; Xing, G Z; Fan, H M; Van, L H; Huang, S L; Yang, K S; Huang, X L; Qin, X B; Wang, B Y; Wu, T; Wang, L; Zhang, H T; Gao, X Y; Liu, T; Wee, A T S; Feng, Y P; Ding, J.

Afiliación

Yi JB; Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, 119260, Singapore. mseyj@nus.edu.sg

Phys Rev Lett ; 104(13): 137201, 2010 Apr 02.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-20481907

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Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2010 Tipo del documento: Article País de afiliación: Singapur

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