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Raman scattering study of GaN nanostructures obtained by bottom-up and top-down approaches.
Milekhin, A G; Meijers, R J; Richter, T; Calarco, R; Montanari, S; Lüth, H; Paez Sierra, B A; Zahn, D R T.
Afiliación
  • Milekhin AG; Institute of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, Russia.
J Phys Condens Matter ; 18(26): 5825-34, 2006 Jul 05.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21690799
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Asunto de la revista: BIOFISICA Año: 2006 Tipo del documento: Article País de afiliación: Rusia
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