Linear increase of the modal gain in 1.3 µm InAs/GaAs quantum dot lasers containing up to seven-stacked QD layers.

Salhi, A; Rainò, G; Fortunato, L; Tasco, V; Martiradonna, L; Todaro, M T; De Giorgi, M; Cingolani, R; Passaseo, A; Luna, E; Trampert, A; De Vittorio, M

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Linear increase of the modal gain in 1.3 µm InAs/GaAs quantum dot lasers containing up to seven-stacked QD layers.

Salhi, A; Rainò, G; Fortunato, L; Tasco, V; Martiradonna, L; Todaro, M T; De Giorgi, M; Cingolani, R; Passaseo, A; Luna, E; Trampert, A; De Vittorio, M.

Afiliación

Salhi A; National Nanotechnology Laboratory of CNR-INFM, via Arnesano, I-73100 Lecce, Italy.

Nanotechnology ; 19(27): 275401, 2008 Jul 09.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21828705

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2008 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia

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