Gate-tuned normal and superconducting transport at the surface of a topological insulator.

Sacépé, Benjamin; Oostinga, Jeroen B; Li, Jian; Ubaldini, Alberto; Couto, Nuno J G; Giannini, Enrico; Morpurgo, Alberto F

Sacépé, Benjamin; Oostinga, Jeroen B; Li, Jian; Ubaldini, Alberto; Couto, Nuno J G; Giannini, Enrico; Morpurgo, Alberto F.

Afiliación

Sacépé B; Département de Physique de la Matière Condensée, University of Geneva, 24 Quai Ernest-Ansermet, 1211 Geneva 4, Switzerland.

Nat Commun ; 2: 575, 2011 Dec 06.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22146394

Asunto(s)

Bismuto/química; Electrónica/métodos; Ingeniería/métodos; Nanotecnología/métodos; Selenio/química; Semiconductores; Cristalización; Electrodos; Electrones; Grafito/química; Campos Magnéticos; Nanoestructuras/química; Propiedades de Superficie

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Selenio / Semiconductores / Bismuto / Nanotecnología / Electrónica / Ingeniería Idioma: En Revista: Nat Commun Asunto de la revista: BIOLOGIA / CIENCIA Año: 2011 Tipo del documento: Article País de afiliación: Suiza

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