Reliability characteristics and conduction mechanisms in resistive switching memory devices using ZnO thin films. | Nanoscale Res Lett;7(1): 178, 2012 Mar 08. | MEDLINE

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Reliability characteristics and conduction mechanisms in resistive switching memory devices using ZnO thin films.

Chiu, Fu-Chien; Li, Peng-Wei; Chang, Wen-Yuan.

Afiliación

Chiu FC; Department of Electronic Engineering, Ming-Chuan University, Taoyuan, 333, Taiwan. fcchiu@mail.mcu.edu.tw.

Nanoscale Res Lett ; 7(1): 178, 2012 Mar 08.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22401297

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán

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