Room-temperature electroluminescence from germanium in an Al(0.3)Ga(0.7)As/Ge heterojunction light-emitting diode by Γ-valley transport. | Opt Express;20(14): 14921-7, 2012 Jul 02. | MEDLINE

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Room-temperature electroluminescence from germanium in an Al(0.3)Ga(0.7)As/Ge heterojunction light-emitting diode by Γ-valley transport.

Cho, Seongjae; Park, Byung-Gook; Yang, Changjae; Cheung, Stanley; Yoon, Euijoon; Kamins, Theodore I; Yoo, S J Ben; Harris, James S.

Afiliación

Cho S; Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA.

Opt Express ; 20(14): 14921-7, 2012 Jul 02.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22772186

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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