Graphene and boron nitride lateral heterostructures for atomically thin circuitry.

Levendorf, Mark P; Kim, Cheol-Joo; Brown, Lola; Huang, Pinshane Y; Havener, Robin W; Muller, David A; Park, Jiwoong

Levendorf, Mark P; Kim, Cheol-Joo; Brown, Lola; Huang, Pinshane Y; Havener, Robin W; Muller, David A; Park, Jiwoong.

Afiliación

Levendorf MP; Department of Chemistry and Chemical Biology, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA.

Nature ; 488(7413): 627-32, 2012 Aug 30.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22932386

Asunto(s)

Compuestos de Boro/química; Electrónica/instrumentación; Grafito/química; Amoníaco/química; Boranos/química; Conductividad Eléctrica; Electrodos; Microscopía de Fuerza Atómica; Microscopía Electrónica de Rastreo; Microscopía Electrónica de Transmisión; Temperatura; Transistores Electrónicos

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Compuestos de Boro / Electrónica / Grafito Idioma: En Revista: Nature Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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