Factors influencing epitaxial growth of three-dimensional Ge quantum dot crystals on pit-patterned Si substrate. | Nanotechnology;24(1): 015304, 2013 Jan 11. | MEDLINE

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Factors influencing epitaxial growth of three-dimensional Ge quantum dot crystals on pit-patterned Si substrate.

Ma, Y J; Zhong, Z; Yang, X J; Fan, Y L; Jiang, Z M.

Afiliación

Ma YJ; State Key Laboratory of Surface Physics, and Department of Physics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 24(1): 015304, 2013 Jan 11.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23220787

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2013 Tipo del documento: Article

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