Lithography and doping in strained Si towards atomically precise device fabrication. | Nanotechnology;25(14): 145302, 2014 Apr 11. | MEDLINE

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Lithography and doping in strained Si towards atomically precise device fabrication.

Lee, W C T; McKibbin, S R; Thompson, D L; Xue, K; Scappucci, G; Bishop, N; Celler, G K; Carroll, M S; Simmons, M Y.

Afiliación

Lee WC; Australian Research Council Centre of Excellence for Quantum Computation and Communication Technology, School of Physics, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia.

Nanotechnology ; 25(14): 145302, 2014 Apr 11.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24633016

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Australia

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