Effect of surface Si redistribution on the alignment of Ge dots grown on pit-patterned Si(001) substrates. | Nanotechnology;25(47): 475301, 2014 Nov 28. | MEDLINE

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Effect of surface Si redistribution on the alignment of Ge dots grown on pit-patterned Si(001) substrates.

Chen, Hung-Ming; Suen, Yuen-Wuu; Chen, Sao-Jie; Luo, Guang-Li; Lai, Yen-Pu; Chen, Shih-Ta; Lee, Chien-Hung; Kuan, Chieh-Hsiung.

Afiliación

Chen HM; Graduate Institute of Electronics Engineering and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, Republic of China.

Nanotechnology ; 25(47): 475301, 2014 Nov 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25369731

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

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