Synthesis of in-plane and stacked graphene/hexagonal boron nitride heterostructures by combining with ion beam sputtering deposition and chemical vapor deposition. | Nanoscale;7(38): 16046-53, 2015 Oct 14. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal de Búsqueda de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada

Synthesis of in-plane and stacked graphene/hexagonal boron nitride heterostructures by combining with ion beam sputtering deposition and chemical vapor deposition.

Meng, Jun Hua; Zhang, Xing Wang; Wang, Hao Lin; Ren, Xi Biao; Jin, Chuan Hong; Yin, Zhi Gang; Liu, Xin; Liu, Heng.

Afiliación

Meng JH; Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China. xwzhang@semi.ac.cn.

Nanoscale ; 7(38): 16046-53, 2015 Oct 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26371688

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2015 Tipo del documento: Article

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2015 Tipo del documento: Article