High performance MoS2-based field-effect transistor enabled by hydrazine doping. | Nanotechnology;27(22): 225201, 2016 Jun 03. | MEDLINE

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High performance MoS2-based field-effect transistor enabled by hydrazine doping.

Lim, Dongsuk; Kannan, E S; Lee, Inyeal; Rathi, Servin; Li, Lijun; Lee, Yoontae; Khan, Muhammad Atif; Kang, Moonshik; Park, Jinwoo; Kim, Gil-Ho.

Afiliación

Lim D; School of Electronic and Electrical Engineering and Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Korea.

Nanotechnology ; 27(22): 225201, 2016 Jun 03.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-27098430

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2016 Tipo del documento: Article

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