An Analysis of Hole Trapping at Grain Boundary or Poly-Si Floating-Body MOSFET.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 6584-6587, 2018 09 01.
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| ID: mdl-29677838
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Año:
2018
Tipo del documento:
Article